閃存的一個特性就是隨著閃存的使用以及數(shù)據(jù)存儲時間的變長，存儲在閃存里面的數(shù)據(jù)容易發(fā)生比特翻轉，出現(xiàn)隨機性錯誤。這個問題隨著閃存制程的變小越發(fā)嚴重。因此使用閃存作為存儲介質(zhì)的固態(tài)硬盤，需要采用一些數(shù)據(jù)完整性的技術來確保用戶數(shù)據(jù)可靠不丟失。常見的技術有:

• ECC 糾錯
• RAID 數(shù)據(jù)恢復
• 重讀(Read Retry)
• 掃描重寫技術(Read Scrub)
• 數(shù)據(jù)隨機化

讀錯誤來源

閃存數(shù)據(jù)發(fā)生錯誤，主要有以下幾個原因:
1.擦寫次數(shù)增多 
隨著閃存塊擦寫次數(shù)增多，氧化層逐漸老化，電子進出存儲單元越來越容易，因此存儲在存儲單元的電荷容易發(fā)生異常，導致數(shù)據(jù)讀錯誤

2. 數(shù)據(jù)保留

隨著時間的推移，存儲在存儲單元的電子會流失，整個閾值電壓分布向左移動，導致讀數(shù)據(jù)的時候發(fā)生誤判

3.讀干擾

4.存儲單元之間干擾

5. 寫錯誤
寫錯誤一般發(fā)生在MLC或者TLC 2-Pass（先寫Lower Page，然后再寫Upper page)寫過程中。寫Upper page的時候，它是基于之前Lower page的狀態(tài)，然后再寫每個存儲單元到目標狀態(tài)。如果寫Upper page的時候，Lower page數(shù)據(jù)已經(jīng)出錯（注意寫Upper的時候，Lower Page的數(shù)據(jù)是不會經(jīng)過控制器ＥＣＣ糾錯的，寫過程發(fā)生在閃存內(nèi)部），就會導致存儲單元寫到一個不期望的狀態(tài)，即發(fā)生寫錯誤。

數(shù)據(jù)一開始就寫錯了，當然就別指望讀對了。

TLC 1-Pass program則沒有這個問題，因為Lower Page和Upper page是一次性同時寫入，寫Upper page不依賴于Lower Page數(shù)據(jù)。當然，如果一開始擦除狀態(tài)就不對，那么還是會發(fā)生寫錯誤。

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