無(wú)論采用何種存儲(chǔ)技術(shù)，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)都不能永遠(yuǎn)保存，在閃存中都會(huì)有一段時(shí)間：

Data retention是數(shù)據(jù)保存時(shí)間的問(wèn)題。到了期限，數(shù)據(jù)會(huì)出錯(cuò)，標(biāo)志著ECC無(wú)法成功糾正閃存讀取的數(shù)據(jù)。

我們知道閃存通常有以下錯(cuò)誤：

1、電氣問(wèn)題：  

如虛焊接或芯片故障，導(dǎo)致正常命令無(wú)法執(zhí)行或數(shù)據(jù)錯(cuò)誤率異常高。這個(gè)問(wèn)題將在閃存或固態(tài)硬盤(pán)出廠測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn)。

2、讀、寫(xiě)和擦拭失敗：  

基本命令執(zhí)行失敗，結(jié)果可以通過(guò)狀態(tài)位讀取。這些問(wèn)題也可能發(fā)生在芯片使用過(guò)程中，但概率很小。

3、ECC糾錯(cuò)失敗:  

其實(shí)數(shù)據(jù)錯(cuò)誤率太高，超出了糾錯(cuò)算法的糾錯(cuò)能力。Data retention是罪魁禍?zhǔn)字弧ｉW存存儲(chǔ)的機(jī)制是通過(guò)量子隧道效應(yīng)將電子轉(zhuǎn)移到浮柵層并停留在那里。隨著時(shí)間的推移，電子仍然有一定的可能性離開(kāi)浮柵層，回到通道里面，離開(kāi)更多的電子可能會(huì)導(dǎo)致單元閱讀的結(jié)果，即數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。

Data retention與浮柵層下的氧化層厚度有關(guān)。畢竟，氧化層越厚，電子離開(kāi)的概率越小。研究表明，如果氧化層厚度為4.5nm，則理論數(shù)據(jù)可保存10年。